Vizualizare sursă pentru „Plăcuță semiconductoare”

[[Fișier:etchedwafer.jpg|thumb|O plăcuță de siliciu decapată]]
[[Fișier:ICC 2008 Poland Silicon Wafer 1 edit.png|thumb|Plăcuța de siliciu de la [[Intel]]]]
O '''plăcuță semiconductoare''' este o tabletă subțire de [[Semiconductor|material semiconductor]] foarte pur și monocristalin, cum ar fi un [[siliciu cristalin|cristal de siliciu]], folosită în [[Fabricare de dispozitive semiconductoare|fabricarea]] [[Circuit integrat|circuitelor integrate]] și a altor microdispozitive. Plăcuța are rolul de [[Substrat (semiconductor)|substrat]] pentru dispozitivele [[microelectronic]]e construite în și pe plăcuță și este supusă multor pași ai proceselor de [[microfabricație]] precum [[Dopare (semiconductor)|doparea]] sau [[Implantare ionică|implantarea ionică]], [[Decapare (microfabricație)|decaparea]], [[Peliculă subțire|depozitarea]] variatelor materiale și șablonarea [[Fotolitografie|fotolitografică]].

Aceste plăcuțe se mai folosesc și pentru mai multe tipuri de [[Celulă solară|celule solare]]. O „plăcuță solară” este de obicei o plăcuță semiconductoare circulară întreagă (ne mai fiind deci tăiată în celule solare dreptunghiulare mai mici).

În [[limba engleză]] plăcuța semiconductoare este denumită „''wafer''” (napolitană), datorită texturii caroiate similare celei de pe foile de napolitană.


==Procesul de fabricație==


 {{Vezi și|Metodă Czochralski}}
{| align="left" border="0" cellpadding="0"
|-
| [[Fișier:Czochralski Process ro.svg|300px|thumb|[[Metodă Czochralski|Metoda Czochralski]].]]
| [[Fișier:Monokristalines Silizium für die Waferherstellung.jpg|67px|Bara de siliciu pentru plăcuțe.]]
|}

Plăcuțele sunt formate din material monocristalin de înaltă puritate (99,9999 %),<ref name="Semiconductor International 2005">SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International (Un supliment la Semiconductor Internațional). Decembrie 2005. Secțiune de referință: 
''How to Make a Chip'' (''Cum să faci un cip''). Adaptat de la Design News. Reed Electronics Group.</ref> aproape lipsit de defecțiuni.<ref name="Semiconductor International 2005"/> 
Pentru obținerea materialelor semiconductoare monocristaline, se utilizează procedee de creștere din topitură în incinte închise în atmosferă reducătoare de hidrogen.
Un procedeu pentru formarea plăcuțelor cristaline este numit [[Metodă Czochralski|metoda Czochralski]], inventată de chimistul polonez [[Jan Czochralski]]. 
Incintele închise sunt utilizate pentru creșterea monocristalelorde dimensiuni mari, evitându-se astfel impurificarea accidentală. Procesul este inițiat cu ajutorul unui germene monocristalin, care se coboară în topitură, se topește parțial și se extrage apoi treptat din topitură cu o viteză mică, între 1-2mm/min. Procedeul se bazează pe existența unui [[gradient de temperatură]] și pe migrarea moleculelordin starea lichidă către cristal, datorită răcirii. Semiconductorul topit cristalizează pe germene și repetă structura acestuia, obținându-se în final un lingou cilindric (bară) de siliciu cristalin de înaltă puritate ce are structura cristalină identică cu structura germenului.<ref>{{citat carte |title=Microelectronic Materials and Processes (Procese și materiale microelectronice)|last=Levy |first=Roland Albert |year=1989 |pages=1–2 |isbn=0792301544 |url=http://books.google.com/books?id=wZPRPU6ne7UC&pg=PA248&sig=8JXOn_Dc0fPFnyEEkWh53lKWCOk#PPA6,M1 |accessdate=2008-02-23}}</ref><ref name=Grover/> Atomii impurităților dopante precum [[bor]]ul sau [[fosfor]]ul pot fi adăugați la siliciul intrinsec topit, în cantități precise, pentru a-l [[Dopare (semiconductor)|dopa]] (în vederea atingerii proprietăților electronice dorite), astfel schimbându-l în siliciu extrinsec de [[Semiconductor de tip n|tip n]] sau [[Semiconductor de tip p|tip p]].

Lingoul este apoi tranșat cu un [[ferăstrău]] pentru plăcuțe ([[ferăstrău sârmă]]) și [[Polizare|polizat]] pentru formarea plăcuțelor.<ref>{{citat carte|last=Nishi |first=Yoshio |year=2000|title=Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology (Compendiu al tehnologiei de fabricare a semiconductorilor)|pages=67–71 |publisher=CRC Press |isbn=0824787838 |url=http://books.google.com/books?id=Qi98H-iTgLEC&pg=PA70&dq=wafer+flat+and+notch&sig=j6VYgO2HhC_UBhanpRLa9UZC4Pk#PPA71,M1|accessdate=2008-02-25}}</ref>

Mărimea plăcuțelor pentru celulele fotovoltaice este de 100 – 200&nbsp;mm<sup>2</sup> , iar grosimea este de 200 - 300 μm. De asemenea este prevăzut și un nou standard de 160 μm.<ref>{{Citat web |url=http://www.omron-semi-pv.eu/en/wafer-based-pv/wafer-preparation/slicing-the-ingot.html |accessdate=2010-06-21 |titlu=copie arhivă |archive-date=2009-02-04 |archive-url=https://web.archive.org/web/20090204143027/http://www.omron-semi-pv.eu/en/wafer-based-pv/wafer-preparation/slicing-the-ingot.html |dead-url=yes }}</ref> Pentru circuitele electronice se folosesc dimensiuni ale plăcuțelor de 100 – 300&nbsp;mm în diametru, în timp ce diametrul de 450&nbsp;mm, subiect al multor dezbateri, încă nu intrase în producție în anul 2010.<ref>{{citat web | last = LaPedus
  | first = Mark
  | author =
  | coauthors =
  | title = Debate rages over 450-mm wafer fabs (Dezbaterea se dezlănțuie în privința fabricilor de plăcuțe de siliciu de 450 mm)
  | work =
  | publisher = EE Times
  | date =
  | url = http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=187001870
  | format =
  | doi =
  | accessdate =
  | citat = 
}}</ref>

== Curățare, texturare și decapare ==

După tranșare plăcuțele sunt curățate cu [[Acid slab|acizi slabi]] pentru îndepărtarea particulelor nedorite sau repararea avariilor cauzate în timpul procesului de debitare cu ferăstrăul. În cazul folosirii pentru [[Celulă solară|celulele solare]], plăcuțele sunt texturate pentru a crea o suprafață aspră care le crește eficiența. [[Sticlă fosfosilicată|Sticla fosfosilicată]] generată este îndepărtată de pe marginea plăcuței la [[decapare]].<ref>{{Citat web |url=http://www.omron-semi-pv.eu/en/wafer-based-pv/front-end/wet-process.html |accessdate=2010-06-21 |titlu=copie arhivă |archive-date=2009-02-04 |archive-url=https://web.archive.org/web/20090204143516/http://www.omron-semi-pv.eu/en/wafer-based-pv/front-end/wet-process.html |dead-url=yes }}</ref>

==Proprietățile plăcuței==

===Dimensiuni standard ale plăcuțelor===

Plăcuțele sau discurile de siliciu monocristalin sunt disponibile într-o varietate de dimensiuni de la 25,4&nbsp;mm (1 țol) la 300&nbsp;mm (11,8 țoli).<ref>{{citeweb|title=Silicon Wafer (Plăcuță de siliciu)|url=http://www.semiwafer.com/products/silicon.htm|accessdate=2008-02-23|archive-date=2008-02-20|archive-url=https://web.archive.org/web/20080220102757/http://www.semiwafer.com/products/silicon.htm|dead-url=yes}}</ref> [[Uzină de fabricare a semiconductoarelor|Uzinele de fabricare a semiconductoarelor]] sunt definite de dimensiunea plăcuțelor care pot fi produse cu echipamentul aflat în dotarea acestora. Dimensiunea a crescut treptat pentru îmbunătățirea rezultatelor și reducerea costurilor. Companiile [[Intel]], [[TSMC]] și [[Samsung]] conduc separat cercetări pentru pregătirea fabricilor de [[prototip]]uri de 450&nbsp;mm până în 2012,<ref>Tim Smalley,[http://www.bit-tech.net/news/hardware/2008/05/06/industry-to-start-move-to-450mm-wafers-in-2012/1 Industry to start move to 450mm wafers in 2012] (''Industria se pregătește de tranziția la plăcuțele de 450mm în 2012''), 6-V-2008, bit-tech.net. Accesat pe 28-XII-2011.</ref> deși rămân piedici serioase. [[Dean Freeman]], un analist al [[Gartner Inc.]], a prezis că fabricile de producție s-ar putea ivi undeva în intervalul de timp 2017-2019,<ref>[http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=211300360&pgno=1 Industry Agrees on first 450-mm wafer standard (Industria cade de acord asupra primului standard de plăcuță de 450 mm) - EETimes.com], accesat la 22 octombrie 2008.</ref> aceasta depinzând în mare parte de o pletoră de noi breșe tehnologice și nu doar de o simplă „extindere” a tehnologiei curente.
[[Fișier:Wafer 2 Zoll bis 8 Zoll 2.jpg|thumb|right|220px|Plăcuțe de 2 țoli, 4 țoli, 6 țoli și 8 țoli]]
* 25,4&nbsp;mm (1 țol)
* 50,8&nbsp;mm (2 țoli), grosime 275 [[Micrometru (unitate)|µm]].
* 76,2&nbsp;mm (3 țoli), grosime 375&nbsp;µm.
* 100&nbsp;mm (4 țoli), grosime 525&nbsp;µm.
* 125&nbsp;mm (4,9 țoli) sau 127&nbsp;mm (5 țoli), grosime 625&nbsp;µm.
* 150&nbsp;mm, grosime 675&nbsp;µm.
* 200&nbsp;mm, grosime 725&nbsp;µm.
* 300&nbsp;mm, grosime 775&nbsp;µm.
* 450&nbsp;mm, grosime 925&nbsp;µm (planificat).<ref>[http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=211300360&pgno=1Industry Agrees on first 450-mm wafer standard (Industria cade de acord asupra primului standard de plăcuță de 450 mm) -EETimes.com]</ref>

Plăcuțele făcute din alte materiale decât siliciul sunt în general indisponibile la dimensiuni de peste 100&nbsp;mm și au grosimi diferite de plăcuțele de siliciu cu același diametru. Grosimea plăcuței este determinată de [[Rezistența materialelor|rezistența mecanică]] a materialului folosit; plăcuța trebuie să fie suficient de groasă pentru a-și suporta propria greutate fără a se crăpa pe durata manevrării.

În cazul plăcuțelor mai mari rămâne mai puțin spațiu marginal pe laturi (ca procentaj din spațiul total), astfel încât profitul pe plăcuță poate crește semnificativ. Acesta este motivul principal al trecerii la dimensiuni de plăcuțe din ce în ce mai mari. Conversia de la plăcuțe de 200&nbsp;mm la cele de 300&nbsp;mm a început în anul 2000; prin aceasta prețul pe pastila semiconductoare a putut fi redus cu circa 30-40%.<ref>[http://www.semiconductor.net/article/CA47551.html Semiconductor.net:Capability for 300 mm: Approaching Industry Goals (Capabilitate pentru 300mm: apropierea de țelurile industriei)]{{Legătură nefuncțională|date=octombrie 2022 |bot=InternetArchiveBot |fix-attempted=yes }}</ref> Totuși, aceasta nu s-a întâmplat fără probleme semnificative pentru industrie.

Următorul pas, către un diametru de 450&nbsp;mm, ar trebui să conducă la câștiguri ale productivității similare celor rezultate din mărirea anterioară a dimensiunii.

Utilajele necesare pentru manevrarea și procesarea plăcuțelor mai mari duc la costuri de investiții crescute pentru construirea chiar și a unei singure fabrici. Există o rezistență considerabilă împotriva trecerii la dimensiunea de 450&nbsp;mm până în 2012 în ciuda îmbunătățirilor evidente ale productivității, în principal deoarece companiile cred că recuperarea investițiilor ar dura prea mult.<ref>[http://www.semiconductor.net/article/CA6445470.html?nid=3655 450 mm: A Promise Postponed (450 mm: o promisiune amânată)]{{Legătură nefuncțională|date=octombrie 2022 |bot=InternetArchiveBot |fix-attempted=yes }}</ref> Procesul dificil și costisitor al fabricării dimensiunii de 300&nbsp;mm a reprezentat numai aproximativ 20% din capacitatea mondială, ca unitate de [[Arie|suprafață]], până la sfârșitul anului 2005.<ref>[http://www.semiconductor.net/article/CA6617173.html?nid=3660 A Simulation Study of the Cost and Economics of 450 mm Wafers (Un studiu simulare al costului și economiei plăcuțelor de 450 mm)]{{Legătură nefuncțională|date=octombrie 2022 |bot=InternetArchiveBot |fix-attempted=yes }}</ref> Trecerea la 300&nbsp;mm a necesitat o schimbare majoră față de trecut, cu [[Fabrică automatizată|fabrici complet automatizate]] pentru plăcuțele de 300&nbsp;mm față de fabricile semiautomatizate pentru plăcuțele de 200&nbsp;mm. Investițiile majore au fost întreprinse în timpul [[Recesiune economică|întorsăturii economice]] ulterioare [[Bula punct-com|bulei punct-com]], rezultând într-o opoziție foarte pronunțată trecerii la 450&nbsp;mm în intervalul de timp original.

Alte probleme tehnice inițiale pe rampa către 300&nbsp;mm au inclus efectele vibrațiilor, [[încovoiere]]a gravitațională și problemele cu planeitatea. Printre noile probleme pe rampa către 450&nbsp;mm se numără faptul că barele de cristal vor fi de 3 ori mai grele (în total cântărind o tonă), vor lua de 2-4 ori mai mult timp să se răcească, iar timpul de prelucrare va fi dublu.<ref>[http://www.semiconductor.net/article/CA6617173.html?nid=3660 Semiconducter.net:Optimize Wafer Thickness for 450 mm (Optimizează grosimea plăcuțelor semiconductoare pentru 450 mm)]{{Legătură nefuncțională|date=octombrie 2022 |bot=InternetArchiveBot |fix-attempted=yes }}</ref> Pe scurt, dezvoltarea plăcuțelor de 450&nbsp;mm necesită învingerea costurilor, a timpului și o inginerie de o dificultate semnificativă.

====Estimarea analitică a numărului pastilelor====

Pentru orice diametru ['''d''', ''mm''] dat al unei plăcuțe și dimensiune ['''A''', ''mm<sup>2</sup>''] țintă a unui [[Circuit integrat|CI]], există un număr exact de bucăți întregi care pot fi tăiate din plăcuță, numite [[Pastilă (semiconductor)|pastile]]. Numărul brut de pastile pe plăcuță ['''PPP'''] poate fi estimat prin următoarea expresie:

<div style="text-align:center">
<math>PPP = d\pi\left (\frac{d}{4A} - \frac{1}{\sqrt{2A}} \right)</math>
</div>

De luat în vedere că numărul brut al pastilelor nu ia în calcul pierderile pastilelor defecte, variate marcaje de aliniere și locuri de testare de pe plăcuță.

===Orientare cristalină===
[[Fișier:Silicon-unit-cell-3D-balls.png|thumb|Structură cristalină cubică de tipul diamantului. Celulă elementară a siliciului.]]

Plăcuțele semiconductoare sunt crescute dintr-un cristal ce are o [[structură cristalină]] regulată, siliciul având o [[Sistem cubic tip diamant|structură cubică de tipul diamantului]] cu o spațiere a rețelei cristaline de 5,430710 [[Ångström|Å]] (0,5430710&nbsp;nm).<ref name="HandbookSi (Compendiu Si)">{{citat carte |last=O'Mara |first=William C. |year=1990|title=Handbook of Semiconductor Silicon Technology (Compendiu al tehnologiei siliciului pentru semiconductoare)|page =349–352 |publisher=William Andrew Inc. |isbn=0815512376 |url=http://books.google.com/books?id=COcVgAtqeKkC&pg=PA351&dq=Czochralski+Silicon+Crystal+Face+Cubic&lr=&as_brr=3&sig=ht-dgSy1lzBMYC7IXPp9W5QBqYo|accessdate=2008-02-24}}</ref> Atunci când este tăiat în plăcuțe, suprafața este aliniată într-una din mai multe direcții relative cunoscute ca orientări cristaline. Orientarea este definită de [[indicii lui Miller]], direcțiile cristalografice [100] sau [111] fiind cele mai comune pentru siliciu.<ref name="HandbookSi (Compendiu Si)"/>

Orientarea este importantă din moment ce multe dintre proprietățile electronice și structurale ale unui singur cristal sunt pronunțat [[Anizotropie|anizotrope]]. Adâncimea [[Implantare ionică|implantării ionice]] depinde de orientarea cristalină a plăcuței, din moment ce fiecare direcție oferă [[Implantare ionică#Canalizare ionică|căi]] distincte pentru transport.<ref>{{citat carte |last=Nishi |first=Yoshio |year=2000 |title=Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology (Compendiu al tehnologiei fabricării semiconductorilor)|pages=108–109 |publisher=CRC Press |isbn=0824787838 |url=http://books.google.com/books?id=Qi98H-iTgLEC&pg=PA70&dq=wafer+flat+and+notch&sig=j6VYgO2HhC_UBhanpRLa9UZC4Pk#PPA71,M1|accessdate=2008-02-25}}</ref>

[[Clivaj]]ul plăcuței în mod tipic se ivește numai în câteva direcții bine definite. Crestarea plăcuței de-a lungul planurilor de clivaj permite secționarea cu ușurință a acesteia în [[Pastilă (semiconductor)|pastile]] individuale astfel încât miliardele de [[Componentă electronică|elemente de circuit]] individuale de pe o plăcuță medie să poată fi separate în multe circuite individuale.

===Semne de indicare a orientării===

[[Fișier:Notch and Flat 01.jpg|thumb|230px|left|Plat și crestătură.]]
[[Fișier:Wafer flats convention v2.svg|thumb|Se poate folosi tăierea unor [[segment de cerc|segmente de cerc]] pentru a denota [[Dopare (semiconductor)|doparea]] și orientarea [[Cristalografie|cristalografică]]. Roșul reprezintă materialul care a fost îndepărtat.]]

Discurile cu un diametru sub 200&nbsp;mm au [[segment de cerc|segmente de cerc]] tăiate în una sau mai multe părți obținându-se segmente de margine drepte, numite „''platuri''”, cu scopul de a indica planele [[Cristalografie|cristalografice]] ale plăcuței (de obicei familia de plane {110}). În generațiile mai timpurii de plăcuțe, o pereche de platuri la diferite unghiuri desemnau adițional tipul de dopare (vezi ilustrația pentru convenții). Plăcuțele cu diametru de 200&nbsp;mm sau mai mare folosesc o singură crestătură mică pentru a desemna orientarea plăcuței, fără nicio indicație vizuală a tipului de dopare.<ref>{{citeweb |title=Wafer Flats (Secționări ale plăcuțelor semiconductoare)|url=http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_5/illustr/i5_2_4.html |accessdate=2008-02-23}}</ref>

===Doparea impurităților===

Plăcuțele de siliciu în general nu sunt siliciu 100% pur, ci sunt în schimb formate printr-o [[Dopare (semiconductor)|dopare]] cu impurități inițială cu o concentrație între 10<sup>13</sup> și 10<sup>16</sup> pe cm<sup>3</sup> de [[bor]], [[fosfor]], [[arsen]] sau [[stibiu]], care este adăugată topiturii și definește plăcuța fie ca tip n fie ca tip p.<ref>{{citat carte |last=Widmann |first=Dietrich |year=2000 |title=Technology of Integrated Circuits (Tehnologia circuitelor integrate)|pages=39 |publisher=Springer |isbn=3540661999 |url=http://books.google.com/books?id=uYNn1N6YSwQC&pg=PA39&dq=Czochralski+Doping+Silicon&as_brr=3&sig=xRljFzhA9fSbRddEc3Gg3-Wht2U|accessdate=2008-02-24}}</ref> În orice caz, în comparație cu densitatea atomică a unui singur cristal de siliciu de 5×10<sup>22</sup> atomi pe cm<sup>3</sup>, acest lucru tot dă o puritate mai mare de 99,9999%. Plăcuțelor le poate fi de asemenea administrată o anumită concentrație [[Defect interstițial|interstițială]] de oxigen. Contaminarea cu carbon și metale este păstrată la minim.<ref>{{citat carte |title=Microelectronic  Materials and Processes (Procese și materiale microelectronice)|last=Levy |first=Roland Albert |year=1989 |pages=6–7, 13 |isbn=0792301544 |url=http://books.google.com/books?id=wZPRPU6ne7UC&pg=PA248&sig=8JXOn_Dc0fPFnyEEkWh53lKWCOk#PPA1,M1|accessdate=2008-02-23}}</ref> [[Metal de tranziție|Metalele tranziționale]], în particular, trebuie menținute la concentrații sub părți pe miliard, pentru aplicațiile electronice.<ref>{{citat carte |title=The Materials Science of Semiconductors (Știința materialelor semiconductorilor)|last=Rockett|first=Angus |year=2008 |pages=13|isbn=9780387256535}}</ref>

==Semiconductori din compuși==

În timp ce plăcuța de siliciu este tipul predominant de plăcuță semiconductoare folosit în industria electronică, alte tipuri de plăcuțe din [[Semiconductor din compuși|compuși]] [[Listă de materiale semiconductoare|III-V]] sau [[Listă de materiale semiconductoare|II-VI]] au fost folosite de asemenea. Plăcuța din [[arsenură de galiu]] (GaAs) este unul dintre materialele [[Listă de materiale semiconductoare|semiconductoare din grupa III-V]] folosite în mod comun și care pot fi produse folosind metoda Czochralski.<ref name=Grover>{{citat carte|title=Microelectronic Materials (Materiale microelectronice)|last=Grovenor |first= C. |year= 1989 |isbn=0852742703 |publisher=CRC Press |pages=113–123 |url=http://books.google.com/books?id=Ecl_mnz1xcUC&pg=PA122&dq=GaAs+Wafer+Manufacture&as_brr=3&sig=eu7LVmemnCFtCk9s0Cmo4HK4OwM#PPA113,M1|accessdate=2008-02-25}}</ref>


==Pastilă (semiconductor)==

[[Image:Close up pic of a CII 72 silicon die.jpg|thumb|right|230px|O pastilă cu circuit integrat de mărime medie, cu [[Fir de legătură|fire de legătură]] atașate.]]

O '''pastilă''', în contextul [[Circuit integrat|circuitelor integrate]], este o bucată mică de material semiconductor, pe care este fabricat un anume circuit funcțional.

În mod tipic, circuitele integrate sunt produse în loturi mari pe o singură [[Plăcuță semiconductoare|plăcuță]] de siliciu de înaltă puritate (SGE) - dar și pe alte materiale, prin procese precum [[Fotolitografie|fotolitografia]]. Plăcuța este tăiată în multe bucăți, fiecare conținând o copie a circuitului. Fiecare dintre aceste bucăți este numită pastilă (semiconductoare), iar în acest caz pastilă de siliciu.<ref>{{citat carte
 | nume          = Minescu
 | prenume       = Mihail
 | legătură-autor = 
 | autor2        = Viorela Avramescu
| editor        = 
 | alții         = 
 | titlu         = Tehnologii electronice
 | volum         =
 | număr         =
 | anoriginal    = 
 | lunăoriginală = 
 | url           = 
 | format        = 
 | datăaccesare  = 
 | anaccesare    = 
 | lunăaccesare  = 
 | ediție        = 
 | dată          = 
 | an            = 2003
 | lună          = 
 | editură       = Editura UPG Ploiești
 | loc           = Ploiești
 | limbă         = română
 | isbn          = 973-8150-71-X
 | oclc          = 
 | doi           = 
 | id            = 
 | pagini        = 
 | capitol       = 
 | urlcapitol    = 
 | citat         = 
 | ref           =
 }}
</ref>

==Images==

<gallery>
File:2N2222.jpg|<div style="text-align:center">Fotografia pastilei de siliciu pentru tranzistor 2N2222.</div>
File:5050 SMD RGB LED.png|<div style="text-align:center">Fotografia unui LED SMD RGB 5050, se observă cele trei pastile LED, câte una pentru fiecare culoare </div>
File:MC14053B internal view.jpg|<div style="text-align:center">Fotografia pastilei unui circuit integrat </div>
File:ST62E40 die chip.jpg|<div style="text-align:center">ST62E40 microcontroler  pe 8 biţi cu EPROM, drivere pentru LCD, EEPROM  şi convertor A/D.</div>
File:Pentiumpro moshen.jpg|<div style="text-align:center">Un microprocesor Pentium Pro</div>
File:Burr-Brown_OPA103.jpg|<div style="text-align:center">OPA103A un amplificator operaţional fabricat de Burr-Brown</div>
File:ICM7107.jpg|<div style="text-align:center">ICM7107 Un circuit convertor A/D pe 3 şi 1/2 Digiţi.</div>
File:SN7400_1965.jpg|<div style="text-align:center">Fotografie pastilei de siliciu pentru circuitul TTL SN7400 fabricat în 1965.</div>
</gallery>


==Referințe==
<references />

==Bibliografie==
*{{citat carte
 | nume          = Minescu
 | prenume       = Mihail
 | legătură-autor = 
 | autor2        = Viorela Avramescu
| editor        = 
 | alții         = 
 | titlu         = Tehnologii electronice
 | volum         =
 | număr         =
 | anoriginal    = 
 | lunăoriginală = 
 | url           = 
 | format        = 
 | datăaccesare  = 
 | anaccesare    = 
 | lunăaccesare  = 
 | ediție        = 
 | dată          = 
 | an            = 2003
 | lună          = 
 | editură       = Editura UPG Ploiești
 | loc           = Ploiești
 | limbă         = română
 | isbn          = 973-8150-71-X
 | oclc          = 
 | doi           = 
 | id            = 
 | pagini        = 
 | capitol       = 
 | urlcapitol    = 
 | citat         = 
 | ref           =
 }}
*{{citat carte
 | nume          = Teodorescu
 | prenume       = Dan
 | legătură-autor = 
| editor        = 
 | alții         = 
 | titlu         = Introducere in microelectronica
 | volum         =
 | număr         =
 | anoriginal    = 
 | lunăoriginală = 
 | url           = 
 | format        = 
 | datăaccesare  = 
 | anaccesare    = 
 | lunăaccesare  = 
 | ediție        = 
 | dată          = 
 | an            = 1985
 | lună          = 
 | editură       = Editura Facla
 | loc           = 
 | limbă         = română
 | isbn          = 
 | oclc          = 
 | doi           = 
 | id            = 
 | pagini        = 
 | capitol       = 
 | urlcapitol    = 
 | citat         = 
 | ref           =
 }}
*{{citat carte
 | nume          = Scheianu
 | prenume       = Dumitru
 | legătură-autor = 
| editor        = 
 | alții         = 
 | titlu         = Microelectronica - Circuite integrate, structuri, aplicații
 | volum         =
 | număr         =
 | anoriginal    = 
 | lunăoriginală = 
 | url           = 
 | format        = 
 | datăaccesare  = 
 | anaccesare    = 
 | lunăaccesare  = 
 | ediție        = 
 | dată          = 
 | an            = 1988
 | lună          = 
 | editură       = Editura Militară 
 | loc           = București
 | limbă         = română
 | isbn          = 
 | oclc          = 
 | doi           = 
 | id            = 
 | pagini        = 
 | capitol       = 
 | urlcapitol    = 
 | citat         = 
 | ref           =
 }}

== Vezi și ==
{{Div col|3}}
* [[Amplificator operațional]]
* [[ASIC]] 
* [[Celulă solară]]
* [[Colector solar]]
* [[Circuit integrat analogic]]
* [[Circuit integrat hibrid]]
* [[Circuit logic CMOS]]
* [[Depunere chimică în fază de vapori]]
* [[Diodă]]
* [[EPROM]] 
* [[EEPROM]]
* [[EEPROM Serial]]
* [[Efect fotomagnetic]]
* [[Epitaxie]]
* [[Fotoelectrochimie]]
* [[Joncțiune p-n]]
* [[Memorie ROM]]
* [[Metodă Czochralski]]
* [[Modul fotovoltaic|Panou solar]]
* [[NVRAM]]
* [[Rafinare]]
* [[Serigrafie]]
* [[Siliciu]]
* [[Tranzistor]]
* [[Tranzistor bipolar]]
* [[Tranzistor IGBT]]
* [[Tranzistor MOSFET]]
* [[Tranzistor unipolar]]
{{Div col end}}
{{Portal|Electrotehnică}}

==Legături externe==
{{commonscat-inline|Wafers|plăcuţele semiconductoare}}
* {{en icon}} [http://www.ee.byu.edu/cleanroom/everything_wafers.phtml Everything Wafers (Totul plăcuțe semiconductoare)] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090817142243/http://www.ee.byu.edu/cleanroom/everything_wafers.phtml |date=2009-08-17 }} - Un ghid al tipurilor de substraturi, proprietăților, clivajului, decapării și fabricării semiconductoarelor.
* {{en icon}} [http://www.starsilicon.com/ Star Silicon] - Informații și produse legate de industria plăcuțelor de siliciu și plăcuțelor solare.

{{DEFAULTSORT:Wafer (Electronics)}}

[[Categorie:Fabricarea dispozitivelor semiconductoare]]